何刚教授课题组实现场效应器件界面有效钝化和低成本构筑柔性薄膜晶体管

发布时间:2019-05-15作者:访问量:10

本网讯(物理与材料科学学院供稿)近日,我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化、低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器方面取得重要进展,相关研究结果以Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO“Comparative passivation effect of ALD-driven HfO2 and Al2O3 buffer layers on the interface chemistry and electrical characteristics of Dy-based gate dielectrics”在电子器件专业期刊《ACS Applied Electronic Materials》和材料知名期刊《Journal of Materials Chemistry C》在线发表。

论文链接:https://pubs.acs.org.ccindex.cn/doi/10.1021/acsaelm.9b00110

     https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2019/tc/c8tc05736b


课题组利用原子层前驱体的自清洁效应和快速热退火的有机结合,有效调控了沟道层界面态密度,利用稀土元素掺杂抑制了铪基栅介质的本征缺陷和器件的漏流,器件性能良好。利用全水溶液工艺制备了基于稀土元素掺杂的栅介质,低温构筑了高性能的薄膜晶体管和逻辑反相器。超薄高k栅介质和薄膜晶体管是柔性显示器件领域的研究重点,同时也是低功耗显示器、CMOS集成电路必不可少的组成部分。该研究利用价格低廉的全水溶液工艺低温制备了性能优异的高k栅介质薄膜,且器件能低压稳定操作,反相器增益和动态响应良好。相关的研究结果对低能耗柔性器件的发展具有重要的意义。

该研究工作得到了国家自然科学基金、安徽省自然科学基金、物科院开放基金等项目的资助。

 


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